Ar 이온빔을 시료에 조사하면 이온과 시료 표면의 충돌에 의해 표면 원자가 제거되면서 단면이 가공됩니다.

기계적 절단이나 연마에 비해 물리적 변형과 손상을 줄여 균일한 단면을 형성할 수 있으며, 가공 중 시료를 냉각하여 이온빔 조사로 인한 열 손상을 최소화합니다.

◎특징

· 가속 전압: 2–8 kV
· 이온빔 폭: 500 μm (FWHM)
· 밀링 속도: 500 μm/h (8 kV, Si 기준)
· 최대 시료 크기: 11 mm (W) × 8 mm (D) × 3 mm (H)
· 스테이지 이동 범위: X ±6 mm / Y ±2.5 mm
· 시료 밀링 스윙 각도: ±30°
· 최종 냉각 온도: −120°C 이하
· 냉각 유지 시간: 8시간 이상
· 사용 가스: Argon (Ar)
· 냉각제: 액체질소 (LN₂)

◎활용

· 전극 및 배터리 소재의 단면 구조·계면 관찰을 위한 가공

· 폴리머 및 코팅층의 단면 관찰을 위한 시료 가공

· 적층 및 복합재료의 단면 가공

· 열에 민감한 시료의 냉각 단면 가공

· SEM·EDS·EBSD 분석을 위한 단면 전처리